三星否认“3nm 芯片量产延后” 称仍按进度于第二季度开始量产

　　6 月 22 日消息，三星电子今日否认了韩国当地媒体《东亚日报》有关延后 3nm 量产的报道。《东亚日报》此前报道称，由于良率远低于目标，三星 3nm 量产将再延后。

　　三星一位发言人通过电话表示，三星目前仍按进度于第二季度开始量产 3nm 芯片。

　　昨天韩媒 BusinessKorea 消息称，三星为赶超台积电，加码押注 3nm GAA 技术，并计划在 2025 年量产以 GAA 工艺为基础的 2nm 芯片。

　　消息称，三星在 6 月初将 3nm GAA 工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用 GAA 技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台积电的差距。3nm 工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%，同时与 5nm 工艺相比，芯片面积减少了 35%。

　　专家称，如果三星在基于 GAA 的 3nm 工艺中保证了稳定的产量，它就能成为代工市场的游戏规则改变者。台积电预计将从 2nm 芯片开始引入 GAA 工艺，并在 2026 年左右发布第一个产品。对于三星电子来说，未来三年将是一个关键时期。